特許
J-GLOBAL ID：200903085191052367
電子装置の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-141511
公開番号（公開出願番号）：特開平9-325331
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：
【要約】【課題】 エキシマレーザーによる改質で、パターニングされたアルミニュウム材料の表面に絶縁膜を形成することで、所望のパターニングによって形成されたアルミニウム材料の表面には、緻密な絶縁物が形成でき、そして、この場合の、エキシマレーザーによる改質は、ドライプロセスであるために、陽極・酸化法による外部電極の取り付け、取りはずしなどの手作業が不要であり、さらに、液管理、作業管理を含めた、次工程以降への、不純物の持ち込みなどの問題も存在しない、高スループット、高歩留りの電子装置を提供する。【解決手段】 絶縁性基板の表面にアルミニウム材料を、所要のパターニングによって形成した後、前記アルミニウム材料の表面にエキシマレーザーを照射して、前記アルミニウム材料の表面から所要深さまでの一部を、絶縁物に改質することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板の表面にアルミニウム材料を、所要のパターニングによって形成した後、前記アルミニウム材料の表面にエキシマレーザーを照射して、前記アルミニウム材料の表面から所要深さまでの一部を、絶縁物に改質することを特徴とする電子装置の形成方法。
IPC (7件)：
G02F 1/1333 505
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, H01L 21/3205
, H01L 27/01 301
, H01L 27/146
, H01L 29/786
G02F 1/1333 505
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, H01L 27/01 301
, H01L 21/88 N
, H01L 27/14 C
, H01L 29/78 613 Z
