特許

J-GLOBAL ID：200903085196378171

半導体装置の作製方法

発明者： 前川 慎志
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-246919
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100808
出願日： 2005年08月29日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

【課題】 有機TFTの有機半導体層は、水、光または酸素等の影響で劣化しやすいことを鑑み、本発明は、作製工程を簡略化するとともに、信頼性の高い有機TFTを有する半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、マスクを用いたエッチングにより有機材料を含む半導体層を形成し、マスクを除去せず半導体層上に残した状態で有機TFTを完成させる。そして、残存するマスクを使って、水、光または酸素等による劣化から半導体層を保護することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上にソース電極及びドレイン電極を形成し、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に有機材料を含む半導体膜を形成し、 前記半導体膜上にマスクを形成し、 前記マスクを用いて前記半導体膜をエッチングすることにより半導体層を形成し、 前記マスクを前記半導体層上に残したまま、前記マスク上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05

FI (7件)：

H01L29/78 617S ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/28

Fターム (60件)：

5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110BB11 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK10 ,  5F110HM19 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN13 ,  5F110NN14 ,  5F110NN15 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-045573   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社

審査官引用 (1件)

• 有機半導体パターン及び有機半導体層のパターニング方法、有機半導体装置及びその製造方法、並びに表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-221258   出願人：ソニー株式会社