特許
J-GLOBAL ID：200903085203335521
半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-061039
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256490
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 安定性の高い動作を実現することにより、高機能・高利得な高周波電力増幅機能を有する半導体集積回路を提供すること。【解決手段】 半導体基板上に能動素子であるFET211-215と受動素子である複数のインダクタと複数のキャパシタ及びコプレナー配線を有し、複数の増幅用FETから構成される高周波増幅の機能を有する半導体集積回路において、少なくとも最終段の増幅用FETのソースを介して接続される第1のコプレナーグランド面112及び入力段の増幅用FETのソースを介して接続される第2のコプレナーグランド面111とがチップ内で分離されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に能動素子であるFETと受動素子である複数のインダクタと複数のキャパシタ及びコプレナー配線を有し、複数の増幅用FETから構成される高周波増幅の機能を有する半導体集積回路において、少なくとも最終段の増幅用FETのソースを介して接続される第1のコプレナーグランド面及び入力段の増幅用FETのソースを介して接続される第2のコプレナーグランド面とがチップ内で分離されていることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H03F 3/60
