特許

J-GLOBAL ID：200903085208131142

強誘電体膜形成方法及び半導体装置製造方法

発明者： 松浦 克好
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-009775
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218325
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】 電極との界面での拡散及び反応を抑制し、且つ、結晶性の良好な強誘電体膜形成方法及び該形成方法を利用した半導体装置製造方法を提供する。【解決手段】 下部電極40の上面に強誘電体膜50を形成する際、まず結晶性を改善するための第1の強誘電体膜としてのアモルファス相のPZT膜51を結晶化が起きない温度で形成して、急速加熱法により結晶化することにより、PZT膜51の結晶を望ましい<111>方向に配向し易くし、この結晶化されたPZT膜51の上面に、結晶相の第2の強誘電体膜としてのPZT膜52を形成する。

請求項（抜粋）：

電極層上にアモルファス相の第1の強誘電体膜を形成する工程と、前記アモルファス相の第1の強誘電体膜を結晶化させる工程と、前記結晶化された第1の強誘電体膜の上面に結晶相の第2の強誘電体膜を堆積する工程と、を備えることを特徴とする強誘電体膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 27/10 444 B

Fターム (22件)：

5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF12 ,  5F058BF27 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ10 ,  5F083FR02 ,  5F083FR03 ,  5F083JA02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083MA05 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34