特許
J-GLOBAL ID：200903085219469668
自励発振型半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-161925
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022695
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 動作電流及び垂直方向のビーム広がり角の特性が良好な自励発振型半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【構成】 n型GaAs基板1と、この基板1上に設けたn型第1クラッド層6と、この第1クラッド層6上に設けた活性層8と、この活性層8上に設けたp型第2クラッド層13とを備え、第1、第2クラッド層6、13の層中にそれぞれ発振波長エネルギーに略等しいエネルギーのバンドギャップを有する可飽和光吸収層4、11を有し、且つ前記第1、第2クラッド層6、13は活性層8より小さい屈折率及び大きいバンドギャップを有し、且つ第1クラッド層6と活性層8の間及び活性層8と第2クラッド層13の間にそれぞれ第1クラッド層6及び第2クラッド層13より小さい屈折率及び大きなバンドギャップを有する障壁層7、9を設けた。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、該半導体基板上に設けた第1導電型の第1クラッド層と、該第1クラッド層上に設けた活性層と、該活性層上に設けた第2導電型の第2クラッド層とを備え、前記第1、第2クラッド層は前記活性層より小さい屈折率及び大きいバンドギャップを有し、且つ前記第1、第2クラッド層の層中にそれぞれ発振波長エネルギーに略等しいエネルギーのバンドギャップを有する可飽和光吸収層を設け、且つ前記第1クラッド層と前記活性層の間又は前記活性層と前記第2クラッド層の間の少なくとも一方に該第1クラッド層及び該第2クラッド層より小さい屈折率及び大きなバンドギャップを有する障壁層を設けたことを特徴とする自励発振型半導体レーザ素子。
引用特許：
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