特許
J-GLOBAL ID：200903085221142609
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-230631
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086559
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】コバルト、ニッケル、白金、パラジウムのシリサイドを用いた半導体装置において、簡便な方法でシリサイドの結晶の質を向上させることにより、凝集への耐性を増し、さらに微細なデバイスへの適用を可能にする。【構成】半導体装置において、シリコン上にコバルト又はニッケル又は白金又はパラジウムの金属膜を成膜し、その上部に連続して成膜する。この後、RTA方や炉アニール法を用いて600°C以上の熱処理を行い、前記金属膜とシリコンを反応させシリサイドに変化させる。この際生成されたシリサイドはその上部の薄膜との相互作用により、特定の配向性が生じ結晶の面方位の揃ったかつ平坦性のよい膜であるためデバイスの微細化に適する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上にまずコバルト又はニッケル又は白金又はパラジウムの金属膜、つづいて薄膜を連続して成膜する構造を用い、この構造を前記金属膜とシリコンが反応する温度で熱処理を行い、前記金属膜のケイ化物を得ることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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