特許
J-GLOBAL ID:200903085222024936

電子ビーム露光法および電子ビーム露光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-173787
公開番号(公開出願番号):特開平8-037146
出願日: 1994年07月26日
公開日(公表日): 1996年02月06日
要約:
【要約】【目的】 電子ビーム露光法および電子ビーム露光装置に関し、半導体装置の製造工程における電子ビーム露光で生じる近接効果を比較的短時間のデータ処理によって補正することができる手段を提供する。【構成】 パターン間の近接効果によって主露光時に生じた電子ビームの露光量の不平衡を、例えばサブフィールドである複数個のパターンを含む領域毎に、その領域に含まれるパターンの面積、あるいはパターンの面積とパターンの個数を演算し、その演算結果に応じた一定のドーズ量で補助露光することによって補正する。
請求項(抜粋):
パターン間の近接効果によって主露光時に生じた電子ビームの露光量の不平衡を、複数個のパターンを含む領域毎に一定のドーズ量で補助露光することによって補正することを特徴とする電子ビーム露光法。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521

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