特許
J-GLOBAL ID：200903085223378332
レジストパターン形状のシミュレーション方法及びシミュレーション装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-055880
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256120
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】レジストの膜厚・材質及び基板の材質に依存する定在波効果の影響を考慮して、レジストパターン形状を比較的短い計算時間で数値予測する。【解決手段】レジストパターン形状を予測する基準となる感光剤濃度のしきい値を、レジスト膜厚・材質及び基板の材質等の条件を考慮した感光計算から求め、レジスト内部の感光計算により得られた感光剤濃度分布にしきい値を適用し、長時間を要する現像計算の過程を省略してレジストパターン寸法及びレジストパターン形状を直接数値予測する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたレジスト薄膜上にパターン情報を有するエネルギ線を照射し、現像処理後に得られるレジストパターン形状を予測するシミュレーション方法において、前記レジストの表面に照射されるエネルギ線の分布を計算する工程と、前記レジスト薄膜内の感光剤濃度分布を計算する工程と、前記レジストの現像後のパターン形状を予測する基準となる感光剤濃度のしきい値を設定する工程と、前記レジスト薄膜内の感光剤濃度分布に前記しきい値を適用することにより前記レジストの現像後のパターン形状を数値計算する工程と、前記パターン形状を表示する工程とからなることを特徴とするレジストパターン形状のシミュレーション方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 562
, H01L 21/00
