特許

J-GLOBAL ID：200903085226286200

半導体パルスレーザ装置およびその製造方法

発明者： 松井 康浩 ,  荒平 慎 ,  小川 洋
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-021800
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223971
出願日： 1997年02月04日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 ブラッグ波長の反射ピークの両側に現れる各反射ピークの強度を向上させる。【解決手段】 基板101上に利得領域121、可飽和吸収領域122およびブラッグ反射鏡領域123をそれぞれ形成してなる半導体パルスレーザ装置において、ブラッグ反射鏡領域123が、凹凸形成領域と平面領域とを所定間隔で繰り返してなるサンプルドグレーティング構造の回折格子105aを備える。

請求項（抜粋）：

基板上に利得領域、可飽和吸収領域およびブラッグ反射鏡領域をそれぞれ形成してなる半導体パルスレーザ装置において、前記ブラッグ反射鏡領域が、凹凸形成領域と平面領域とを所定間隔で繰り返してなるサンプルドグレーティング構造の回折格子を備えたことを特徴とする半導体パルスレーザ装置。