特許

J-GLOBAL ID：200903085226760610

光半導体装置

発明者： 国井 秀雄 ,  高田 清 ,  落合 公 ,  井野口 浩 ,  石川 勉 ,  関口 智 ,  小堀 浩
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-305819
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133823
出願日： 1998年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 発光素子や受光素子の外形をできる限り薄くし、これを組み込んだモジュールやセットに於いても小型化を可能とする。【解決手段】 発光素子、受光素子として半導体チップ21があり、これらを封止する樹脂封止体24は、光に対して透明となる材料で成る。また光が素子から発光される領域上、光が素子に入射される領域上には、凹部25が形成され、ここに反射面26を構成する。その結果光は側面Eを介して、射出・入射が可能となる。側面の形状によって、広い感度領域を有する。

請求項（抜粋）：

受光素子もしくは/及び発光素子を有する半導体チップと、前記半導体チップを封止する、少なくとも所定波長の光に対して透明な封止体と、前記受光面の垂線と所定の角度で交差して前記封止体に設けられる反射面とを有し、前記受光素子に入射する、もしくは前記発光素子から発射する光の光路は、前記封止体内を通過し、前記反射面で反射される光半導体装置において、前記反射面の一部は、光半導体装置の第1の方向に面すると共に、前記反射面の他の一部は第2の方向に面していることを特徴とする光半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 31/0232 ,  H01L 31/12 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 31/02 D ,  H01L 31/12 E ,  H01L 33/00 M

Fターム (16件)：

5F041AA47 ,  5F041CB32 ,  5F041DA57 ,  5F041EE23 ,  5F041FF16 ,  5F088BA15 ,  5F088EA09 ,  5F088JA06 ,  5F088JA11 ,  5F088LA01 ,  5F089AA03 ,  5F089AB01 ,  5F089AC01 ,  5F089AC11 ,  5F089CA20 ,  5F089EA04