特許

J-GLOBAL ID：200903085228524493

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 小林 真一 ,  中井 宏明 ,  石井 元治 ,  大庭 敦 ,  二ッ谷 知士 ,  細金 明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-018482
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226097
出願日： 1994年02月15日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【目的】 書込/消去ベリファイ時間が短く、かつ、高集積化に適する不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】 書込ベリファイの対象となる複数のビット線BL1〜BL3のうち1本おきにビット線リセットトランジスタRS1、RS3によりリセットをかける。このとき、カラムラッチG3、G4とリセットされていないビット線BL2とはトランスファーゲートTG2により分離されている。次に、カラムラッチG3、G4のデータに応じてビット線BL2をプリチャージし、ワード線WLにベリファイ電圧を印加する。次に、ソース線トランジスタQ24によりソース線を接地し、ビット線BL2とカラムラッチG3、G4とを接続し、メモリセルのしきい値に応じたデータがカラムラッチG3、G4に保持され、書込ベリファイ動作が実行される。

請求項（抜粋）：

それぞれがビット線、ソース線およびワード線に接続された複数のメモリセルの書込状態を確認する書込ベリファイ動作を行なう不揮発性半導体記憶装置であって、前記ビット線を1本おきに所定の電圧に固定する電圧固定手段と、前記所定の電圧に固定されていないビット線に接続されるメモリセルに対する書込ベリファイ動作を実行する書込ベリファイ手段とを含む不揮発性半導体記憶装置。

FI (3件)：

G11C 17/00 510 A ,  G11C 17/00 309 F ,  G11C 17/00 530 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不揮発性半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-077948   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-276393