特許
J-GLOBAL ID：200903085230927490
化合物半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-025762
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235731
出願日： 1994年02月24日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【目的】 II-VI 族又はIII-V 族化合物半導体表面領域への高抵抗領域の選択的形成方法に関し,簡便な工程で実現することを目的とする。【構成】 高抵抗領域3を画定し,化合物半導体4を構成するII族又は III族元素を熱処理時に吸収するマスク2を,半導体4表面に設ける工程と,前記II族又は III族元素含む雰囲気中で熱処理して,半導体4中のこれら元素の外方拡散により生ずる高抵抗領域3を該半導体4のマスク2直下の領域に選択的に形成する工程とを有することを特徴として構成する。
請求項（抜粋）：
n型II-VI 族化合物半導体(4)表面に,熱処理時に拡散する該II-VI 族化合物半導体(4)中のII族元素のうち少なくとも1種を吸収するマスク(2)を設ける工程と,次いで,該II族元素の少なくとも1 種を含む雰囲気中で熱処理して,該マスク(2)下の領域の該II-VI 族化合物半導体(4)中に選択的に高抵抗領域(3)を形成する工程とを有することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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