特許

J-GLOBAL ID：200903085231482882

シリコン溶湯の精製方法

発明者： 大塚 良達 ,  福山 稔章
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-369845
公開番号（公開出願番号）：特開2002-173311
出願日： 2000年12月05日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】 シリコン溶湯の安全な工業的精製方法を提供する。【解決手段】 シリコン溶湯の精製方法において、処理槽内のシリコン溶湯10中へx vol.%の水蒸気をx>3の範囲で含む不活性ガスを処理ガスとしてA l/minの流量率で吹き込み、同時に希釈ガスとして不活性ガスをシリコン溶湯面上にB l/minの流量率で吹き込み、パラメータx、A、およびBはxA/(A+B)<3の関係を満たすように設定される。処理ガスがさらにyvol.%の水素を含む場合、パラメータは(x+y)>3および(x+y)A/(A+B)<3の関係を満たすように設定されればよい。

請求項（抜粋）：

処理槽内のシリコン溶湯中へx vol.%の水蒸気をx>3の範囲で含む不活性ガスを処理ガスとしてA l/minの流量率で吹き込み、少なくとも前記処理ガスが吹き込まれているときには、それと同時に不活性希釈ガスを前記シリコン溶湯表面上にB l/minの流量率で吹き込み、前記パラメータx、A、およびBはxA/(A+B)<3の関係を満たすように設定されることを特徴とするシリコン溶湯の精製方法。

IPC (2件)：

C01B 33/037 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

C01B 33/037 ,  H01L 31/04 H

Fターム (11件)：

4G072AA01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ01 ,  4G072JJ07 ,  4G072JJ11 ,  4G072MM08 ,  4G072MM38 ,  4G072UU02 ,  5F051AA02 ,  5F051CB03