特許
J-GLOBAL ID：200903085231838237
電界放出素子とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
脇 篤夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-344480
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176264
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【目的】 電界放出素子の製造時に蒸着材料を効果的に基板に照射して、蒸着材料のスループットを向上するとともに、均質なエミッタが形成できるようにする。【構成】 基板上にカソード電極層123、絶縁層124、ゲート電極層125等を成膜し、前記絶縁層124の所定の位置をエッチングして開口部を設けるとともに、この開口部内にエミッタ115を形成するFEC製造工程において、前記エミッタは比較的低融点の金属を蒸着源とするICB蒸着法で蒸着堆積する第1の工程と、該第1の工程で形成されたエミッタの表面に対して第2の工程で高融点の金属を電子ビーム蒸着法、またはスパッタリング法等で表面蒸着を行うようにする。エミッタ115の表面に高融点の金属でコーティング層115Aが形成されるため、安定で高電流密度に耐えられる均質なエミッタが形成できる。
請求項（抜粋）：
基板上にカソード電極層、絶縁層、ゲート電極層等を成膜し、前記絶縁層の所定の位置をエッチングして開口部を設けるとともに、この開口部内にエミッタを形成するFEC製造工程において、前記エミッタは低融点の金属を蒸着源とするICB蒸着法で蒸着堆積する第1の工程と、該第1の工程で形成されたエミッタの表面に対して第2の工程でエミッタ先端部の金属を電子ビーム蒸着法、またはスパッタリング法等で表面蒸着を行うことによって形成することを特徴とする電界放出素子の製造方法。
IPC (2件)：
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