特許

J-GLOBAL ID：200903085235911931

半導体装置およびその製造方法

発明者： 池上 雅明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-060370
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275632
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、エミッタ-ベース間の逆耐圧の低下や電流増幅率の低下を防止しながら、ベースコンタクト領域での安定で低抵抗なオーミックコンタクトを得ることを目的とする。【構成】 p+ 型ベース層5の主表面上のn+ 型エミッタ層7から所定の間隔を隔てた領域に、p+ 型ベース層5の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有するとともにn+ 型エミッタ層7の拡散深さよりも浅い拡散深さを有するp++型ベースコンタクト層8を設ける。

請求項（抜粋）：

第1導電型のコレクタ不純物領域と、前記コレクタ不純物領域の主表面上の所定領域に形成された第1の不純物濃度を有する第2導電型のベース不純物領域と、前記ベース不純物領域の主表面上の所定領域に形成された第1の深さを有する第1導電型のエミッタ不純物領域と、前記ベース不純物領域の主表面上に前記エミッタ不純物領域と所定の間隔を隔てて形成され、前記第1の不純物濃度よりも高い第2の不純物濃度を有するとともに前記第1の深さよりも浅い第2の深さを有する第2導電型のベースコンタクト不純物領域と、少なくとも前記ベースコンタクト不純物領域上に形成された金属シリサイド層とを備えた、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭54-006461
  
• 特開昭61-230373