半導体レーザーの温度制御回路

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-141782
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335725
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】環境温度の変動が大きい場合でも半導体レーザーの温度制御を精度良く行う。【解決手段】本発明はサーミスタで測定した温度をフィードバックループする回路に環境温度センサーおよび半導体レーザー駆動電流検出回路で検出した温度を加算することにより環境温度変動が大きい場合(-20〜+70°C)であっても半導体レーザーの温度を一定に制御することができる。

請求項（抜粋）：

半導体レーザーの温度を検出する温度検出回路と半導体レーザーをペルチェ素子を用いて加熱または冷却することによって温度制御が行われる半導体レーザーの温度制御回路において、半導体レーザーが置かれている環境目標温度と前記温度検出回路の出力とを比較し、半導体レーザーの温度が目標温度と等しくなるようにペルチェ素子に対してフィードバック制御を行い、このフィードバック制御に対して目標温度との差が小さくなるように前記温度検出回路で検出した温度を加算することを特徴とする半導体レーザーの温度制御回路。

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