特許
J-GLOBAL ID：200903085239974644

貼り合わせ基板およびその製造方法

発明者：
津田 修平

津田 修平 について


出願人/特許権者：
三菱住友シリコン株式会社

三菱住友シリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-019387
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235251
出願日： 2003年01月28日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】デバイス形成面積が拡大し、外周研削時間が短縮し、外周研削用砥石の寿命も長くなる貼り合わせ基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】ノッチnの形成部以外の活性層用ウェーハ10の外周部を外周研削し、ノッチ形成部にオリフラOFを形成する。よってテラス部におけるノッチ形成部の幅と、他の部分の幅とをそれぞれ別々に設定して外周研削できる。その結果、従来のウェーハ外周部の除去幅が長くなる略真円形状の外周研削時に比べて、ウェーハ10のデバイス形成面積が拡大し、外周研削時間も短縮する。そして、1個の外周研削用砥石を使用し、ウェーハ10の外周部の全域を研削できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
活性層用ウェーハと、外周部の一部分にノッチが形成された支持基板用ウェーハとを貼り合わせ、この貼り合わせによって得られた貼り合わせウェーハの活性層用ウェーハの外周部の貼り合わせ不良部分を除去するとともに、前記活性層用ウェーハを減厚して表面シリコン層とした貼り合わせ基板において、 前記表面シリコン層の外周部のうち、前記ノッチと合致する周方向の位置に、前記ノッチの切欠角度より大きな切欠角度を有する位置合わせ用切欠部が形成された貼り合わせ基板。
IPC (3件)：
H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12
FI (3件)：
H01L21/02 B ,  H01L27/12 B ,  H01L21/76 D
Fターム (8件)：
5F032AA06 ,  5F032AA91 ,  5F032DA21 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74
引用特許：
審査官引用 (4件)
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