特許
J-GLOBAL ID：200903085242122640

分割用セラミック基板およびその製造方法

発明者：
松本 健太郎

松本 健太郎 について


出願人/特許権者：
コーア株式会社

コーア株式会社 について


代理人 (2件)： 武 顕次郎 ,  鈴木 市郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-070265
公開番号（公開出願番号）：特開2004-276386
出願日： 2003年03月14日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】レーザ光によって形成される分割溝の開口端付近に突堤部等の脆弱部分が存在しない分割用セラミック基板と、その製造方法とを提供すること。【解決手段】セラミック基板11に設けられた分割溝13の断面形状は溝奥側の幅狭溝部13aと開口端側の面取り部13bとが連続する溝形状となっていて、面取り部13bの傾斜は幅狭溝部13aに比べて緩やかである。かかる分割溝13を形成するためには、まずセラミック基板11の表面にレーザ光12を照射する1回目のレーザスクライブを行ってブレイク処理に好適な深さの幅狭分割溝14を刻設し、次に照射条件を変更して2回目のレーザスクライブを行うことにより、幅狭分割溝14の開口端側を斜めに削り取った面取り部13bを形成すればよい。1回目のレーザスクライブで幅狭分割溝14の開口端付近に生じた突堤部15等の脆弱部分は面取り部13bによって除去される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
レーザ光の照射によって直線状に延びる複数本の分割溝が設けられており、各分割溝に沿ってブレイクすることにより個々のチップ状電子部品の絶縁基板に細分化される分割用セラミック基板において、 前記各分割溝の断面形状を溝奥側の幅狭溝部と開口端側の面取り部とが連続する溝形状となし、前記面取り部を前記幅狭溝部に比して緩やかな傾斜に形成したことを特徴とする分割用セラミック基板。
IPC (3件)：
B28D5/00 ,  B23K26/00 ,  H01C17/06
FI (3件)：
B28D5/00 Z ,  B23K26/00 D ,  H01C17/06 V
Fターム (15件)：
3C069AA03 ,  3C069BA08 ,  3C069BB04 ,  3C069CA03 ,  3C069CA06 ,  3C069EA02 ,  3C069EA05 ,  4E068AD01 ,  4E068DA11 ,  4E068DB12 ,  5E032BA04 ,  5E032BB01 ,  5E032CA02 ,  5E032CC03 ,  5E032CC18
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 絶縁基板の分割溝形状
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-349450   出願人：ローム株式会社
  • 特開昭54-006768
  • 特開昭54-006768

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