特許
J-GLOBAL ID：200903085242947054
半導体圧力センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石川 泰男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-227590
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086617
出願日： 1993年09月13日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 多結晶シリコン薄膜抵抗を用いたシリコンオンインシュレータ構造の圧力センサの出力及び感度を向上する。【構成】 単結晶シリコン基板1に設けた長方形ダイアフラム2の上面中心部Cと端部Dに多結晶シリコン薄膜抵抗7,8を配置し、多結晶シリコン薄膜抵抗7,8の電流の方向を長方形ダイアフラムの短辺に平行に沿うようにする。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板の一部平面長方形状に肉薄にしたダイアフラムを形成し、当該ダイアフラム面上に歪検出素子としての多結晶シリコン薄膜抵抗を配した半導体圧力センサにおいて、前記多結晶シリコン薄膜抵抗を前記長方形ダイアフラム面上の中心部と、その長辺中間近くとにそれぞれ配置し、前記多結晶シリコン薄膜抵抗に流れる電流の方向を前記長方形ダイアフラムの短辺と平行に沿うよう構成したことを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
