特許
J-GLOBAL ID：200903085249103234
光集積素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-075888
公開番号（公開出願番号）：特開平9-265020
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：
【要約】【課題】 光受動素子を集積した光集積素子提供することを課題とする。【解決手段】 光集積素子は、アルミニウム(Al)を構成元素とする半導体層であるInAlAs(12)の一部を酸化してInAlAs選択酸化層(13)を形成してなる光受動素子を集積化してなるものである。
請求項（抜粋）：
アルミニウム(Al)を構成元素とする半導体層の一部を酸化してなる光受動素子を集積化してなることを特徴とする光集積素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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