特許
J-GLOBAL ID：200903085249716783
多層ベース・ヘテロ接合ディバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063660
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132296
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 エミッタ-ベースの接点間の距離を少なくし、直列ベース抵抗を最小にさせてベース・シートの抵抗を下げることによって、すべてのベース抵抗を減少させるディバイスを提供する。【構成】 半導体材料からなる基板(10)と、基板上の密にドープ処理をしたn型サブ-コレクタ層(14)と、サブ-コレクタ層の上のn型コレクタ層(16)と、コレクタ層の上の密にドープ処理されたp型第1ベース層(18)と、第1ベース層の上に第1ベース層よりも事実上薄いp型第2ベース層(20)であり、第2ベース層は、第1ベース層より密にドープ処理されていないp型第2ベース層(20)と、第2ベース層の上のn型エミッタ層であり、それによって第2ベース層はベースとエミッタとの間の拡散バリヤとして働く前記n型エミッタ層である。
請求項（抜粋）：
p-n接合ディバイスであり、前記ディバイスにはa. 半導体材料から成る基板と、b. 前記基板の上に密にドープ処理されたn型サブ-コレクタと、c. 前記サブ-コレクタ層の上のn型コレクタ層と、d. 前記コレクタ層の上の、密にドープ処理されたp型第1ベース層と、e. 前記第1ベース層の上の、前記第1ベース層よりも事実上薄いp型第2ベース層であって、前記第2ベース層は前記第1ベース層よりも密にドープ処理されない前記p型第2ベース層と、f. 前記第2ベース層の上のn型エミッタ層と、それによって前記第2ベース層が前記ベースと前記エミッタとの間の拡散バリヤとして働く、ことを特徴とするp-n接合ディバイス。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/28
