特許
J-GLOBAL ID：200903085256482801
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-019853
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232332
出願日： 1993年02月08日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】半導体チップのESD,LU耐量向上と半導体チップの小型,高集積化の実現を目的とする。【構成】この目的を達成する手段として、半導体チップ内で形成しているESD保護回路および、LU発生防止回路を使用せずに、インナーリード間および、インナーリードと半導体チップ間に、抵抗,インダクタンス,容量,ダイオードを用いて、ESD保護回路および、LU発生防止回路をインナーリードに構成する。【効果】半導体チップのESD,LU耐量向上と半導体チップの小型,高集積化の実現ができる。
請求項（抜粋）：
半導体チップの電気信号を入出力するインナーリードに絶縁シートをはりつけ、この上部に抵抗,インダクタンス,容量,ダイオード等の部品を取り付けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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