特許
J-GLOBAL ID：200903085257608256
半導体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-308493
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145074
出願日： 1997年11月11日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 支持基板上に当該支持基板と電気的に絶縁した状態の素子形成用半導体層を設ける場合に、その半導体層の膜厚精度を大幅に向上すること。【解決手段】 単結晶シリコン基板14には、イオン注入工程などを経ることにより、その表面から所定深さ位置の全域に水素イオン注入層15が形成されると共に、これより浅い所定位置に酸素イオン注入層17が部分的に形成される。(e)、(f)に示す貼り合わせ工程では、単結晶シリコン基板14に支持基板12が貼り合わされる。(g)に示す剥離工程を兼用した熱処理工程では、熱処理に応じて、単結晶シリコン基板14が水素イオン注入層15部分で剥離されて薄膜状シリコン層18が形成されると共に、酸素イオン注入層17がシリコン酸化領域17′に遷移される。(h)に示す剥離面研磨工程では、シリコン酸化領域17′をストッパとした選択研磨により、所定厚さ寸法の単結晶シリコン膜13を形成する。
請求項（抜粋）：
支持基板(12)上に当該支持基板(12)と電気的に絶縁した状態で素子形成用の半導体層(13)を設けて成る半導体基板(11)の製造方法において、前記半導体層(13)を形成するための半導体基板材料(14)の表面から所定深さの位置にイオン注入して剥離用イオン注入層(15)を形成する剥離用イオン注入工程、前記半導体基板材料(14)の表面側から酸素イオンを注入することにより、当該半導体基板材料(14)における前記剥離用イオン注入層(15)より浅い所定位置に酸素イオン注入層(17)を形成する酸素イオン注入工程、前記半導体基板材料(14)のイオン注入側の面に前記支持基板(12)を貼り合わせる貼り合わせ工程、前記半導体基板材料(14)及び支持基板(12)の一体物に対し熱処理を施すことにより、前記半導体基板材料(14)を前記剥離用イオン注入層(15)により形成される欠陥層部分で剥離して前記酸素イオン注入層(17)を内包した薄膜状半導体材料層(18)を形成する剥離工程、前記酸素イオン注入層(17)を半導体と反応させて半導体酸化領域(17′)を形成するための熱処理工程、前記薄膜状半導体材料層(18)における剥離面を前記半導体酸化領域(17′)をストッパとした状態で選択研磨することにより前記半導体層(13)を形成する剥離面研磨工程、を実行することを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265
, H01L 21/762
, H01L 27/12
H01L 21/265 Q
, H01L 27/12 B
, H01L 27/12 F
, H01L 21/265 J
, H01L 21/76 D
