特許

J-GLOBAL ID：200903085261013593

微粒子の形成方法

発明者： 吉井 重雄 ,  森田 清之 ,  森本 廉 ,  空田 晴之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-299642
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118810
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】 半導体上の微粒子の分散状態を良好に制御する微粒子形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板の表面を表面処理剤で処理した後、水素イオン濃度がpH0からpH4.5の間であり、かつ金属微粒子を含有する水溶液に浸漬して前記金属微粒子を前記半導体基板上に固定することにより分散状態を良好に制御する微粒子形成方法を提供する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面を表面処理剤により処理した後、水素イオン濃度をpH0からpH4.5の間であり、かつ金属または半導体微粒子を含有する水溶液に浸漬して前記金属または半導体微粒子を前記半導体基板上に固定する工程を有する微粒子の形成方法。

IPC (8件)：

H01L 21/288 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/208 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/88

FI (6件)：

H01L 21/288 Z ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/88 F

Fターム (52件)：

4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG14 ,  5F001AA04 ,  5F001AA19 ,  5F001AA25 ,  5F001AA43 ,  5F001AA62 ,  5F001AG17 ,  5F052DA05 ,  5F052DA06 ,  5F052DA10 ,  5F052EA15 ,  5F052JA01 ,  5F052KA10 ,  5F053DD01 ,  5F053DD02 ,  5F053DD03 ,  5F053DD14 ,  5F053DD16 ,  5F053DD20 ,  5F053FF10 ,  5F053GG02 ,  5F053HH04 ,  5F053LL10 ,  5F083EP07 ,  5F083EP17 ,  5F083EP23 ,  5F083EP42 ,  5F083GA27 ,  5F083JA04 ,  5F083JA32 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F101BA07 ,  5F101BA19 ,  5F101BA28 ,  5F101BA35 ,  5F101BA54 ,  5F101BH30