特許

J-GLOBAL ID：200903085265107630

スイッチング素子及びその製造方法

発明者： 川上 春雄 ,  加藤 久人 ,  岩本 卓治
出願人/特許権者： 富士電機ホールディングス株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-369872
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200569
出願日： 2002年12月20日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】特性のばらつきの少ない安定したメモリ特性を実現するスイッチング素子を提供することを目的とする。【解決手段】印加される電圧に対して2種類の安定な抵抗値を持つ有機双安定材料からなる双安定材料層を、少なくとも2つの電極間に有するスイッチング素子において、前記双安定材料層に、一つの分子内に電子供与性の官能基と電子受容性の官能基とを有する有機双安定材料を少なくとも含有させ、かつ前記双安定材料層中に、導電性微粒子が分散されてなる微粒子分散層を設ける。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

印加される電圧に対して2種類の安定な抵抗値を持つ有機双安定材料からなる双安定材料層を、少なくとも2つの電極間に有するスイッチング素子において、 前記双安定材料層が、一つの分子内に電子供与性の官能基と電子受容性の官能基とを有する有機双安定材料を少なくとも含有し、 前記双安定材料層中に、導電性微粒子が分散されてなる微粒子分散層を有することを特徴とするスイッチング素子。

IPC (3件)：

H01L45/00 ,  H01L27/10 ,  H01L51/00

FI (3件)：

H01L45/00 C ,  H01L27/10 451 ,  H01L29/28

Fターム (9件)：

5F083FZ07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA30 ,  5F083JA32 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA42 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23