特許

J-GLOBAL ID：200903085265192808

突起構造の形成方法、LDD構造の形成方法、配線形成方法、およびトレンチ形成方法

発明者： 関山 有郎
出願人/特許権者： 宮崎沖電気株式会社 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-154054
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003994
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】 突起構造の新規な形成方法の提供。【解決手段】 エッチングマスクパタン44から離れた被エッチング層部分42aにおけるエッチング速度がエッチングによる反応生成物の堆積速度よりも遅くなる条件として、真空チャンバの全圧を0.3〜0.4Paとし、マイクロ波パワーを400W、13.56MHzのバイアスパワーを40Wとし、Cl2 を30sccm、O2 を10sccm導入して、被エッチング層に対してマイクロ波プラズマエッチングを行なうことにより、エッチングマスクパタン44に近接した被エッチング層部分42bにトレンチ46を形成する。そして、このトレンチ46を充填して突起構造52を形成する。

請求項（抜粋）：

(a)下地上に、被エッチング層を形成する工程と、(b)前記被エッチング層上にエッチングマスクパタンを形成する工程と、(c)前記エッチングマスクパタンに近接した被エッチング層部分に、プラズマエッチングにおけるプラズマの収束を利用して、前記下地に達するトレンチを形成する工程と、(d)前記トレンチ内に、当該トレンチを埋める充填部で以って突起構造を形成する工程とを含むことを特徴とする突起構造の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/43

FI (3件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/62 Z