特許
J-GLOBAL ID：200903085269160803
窒化物系III-V族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-323303
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144325
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 低温で成長させた場合においても、窒素が不足することなく、高い結晶性を有する窒化物系III-V族化合物半導体の製造方法およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 窒素の原料として、ヒドラジンまたはその置換体,アミンあるいはアジ化物などの窒素含有化合物を含む原料ガスをキャリアガスと共に、MOCVD装置の反応管の内部に供給する。これらの窒素含有化合物は、アンモニアよりも分解効率が高いという特性を有している。そのため、MOCVDを行う際の成長温度が900°C以下であっても、基板21の成長面(すなわち、下地層23の上)に、成長に寄与する窒素原料種を多量に供給することができる。従って、窒化物系III-V族化合物半導体層24の結晶性を向上させることができる。また、V族元素の原料の供給量に対する窒素の原料の供給量を少なくすることができる。
請求項（抜粋）：
III族元素のうちの少なくとも1種とV族元素のうちの少なくとも窒素(N)とを含む窒化物系III-V族化合物半導体を、有機金属化学気相成長法により成長させる窒化物系III-V族化合物半導体の製造方法であって、成長温度を900°C以下とし、かつ、窒素の原料として、窒素原子と窒素原子との単結合,窒素原子と窒素原子との二重結合または窒素原子と炭素原子との単結合の少なくとも1種の結合を有してなる窒素含有化合物を用いることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01S 5/343
5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA82
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA25
, 5F073DA35
