特許

J-GLOBAL ID：200903085270498087

半導体薄膜の製造方法

発明者： 伊東 隆喜 ,  渡辺 暁
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
代理人 (1件)： 根本 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-032766
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224130
出願日： 1993年01月27日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【構成】 互いに接合するn型半導体薄膜6aとp型半導体薄膜6bとを、リアクタ内部で気相下において半導体結晶をエピタキシャル成長させると共に不純物を供給することで製造する。一方の薄膜の形成完了時と他方の薄膜の形成開始時との間に結晶成長の中断過程を設ける。その中断過程において一方の薄膜にドープされた不純物の供給用ガスをリアクタから排出する。【効果】 n型半導体薄膜とp型半導体薄膜との境界部に各半導体薄膜に添加される両方の不純物がドープされた層が成長するのを防止できるので、n型とp型の各半導体特性の境界が明瞭に現れ、半導体ディバイスに適したp-n接合部を持った半導体薄膜を製造できる。

請求項（抜粋）：

互いに接合するn型半導体薄膜とp型半導体薄膜とを、リアクタ内部で気相下において半導体結晶をエピタキシャル成長させると共に不純物を供給することで製造するに際し、一方の薄膜の形成完了時と他方の薄膜の形成開始時との間に結晶成長の中断過程を設け、その中断過程において一方の薄膜にドープされた不純物の供給用ガスをリアクタから排出することを特徴とする半導体薄膜の成長方法。