特許
J-GLOBAL ID：200903085270653899
表面処理装置およびその運転方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153279
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003879
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】本研究の目的は半導体などの表面処理においてエッチングしたい半導体基板とエッチングを止めたい下地の絶縁物とのエッチング速度の比、すなわち選択比を高くした表面処理装置を提供することである。【解決手段】プラズマを用いる表面処理装置で、エッチングガスとして堆積性ガスを添加し、プラズマ中のイオンを加速するための高周波バイアス強度を周期的に強弱をつける様に制御する。【効果】バイアス電源で加速されたイオンはエッチング反応を促進する。バイアス電源に周期的な低出力サイクルを設けると、バイアス電源が低出力(弱)、すなわち絶縁物がエッチングされない程度の加速イオンが試料表面に入射する期間では半導体のエッチングのみが進行することにより、選択比はバイアス電源を連続またはオン-オフにした場合と比べてさらに高くなる。また、上記作用と堆積性ガスの添加との相乗効果により高い選択比を保ちつつパターンの疎密間でのエッチング速度の違いをなくしたエッチングが実現できる。
請求項（抜粋）：
真空容器と、該真空容器中にプラズマを発生させる手段および該プラズマにより表面処理される試料を設置する試料台と、試料に高周波バイアスを印加するための電源からなる表面処理装置において、前記真空容器中にハロゲンガスと堆積性ガスの混合ガスを導入しかつ、試料台に印加する高周波バイアスに周期的に強弱をつける機能を有することを特徴とする表面処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/205
H01L 21/302 A
, H01L 21/205
