シリコンウェーハの熱処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-135066
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321120
出願日： 1994年05月25日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】イントリンシックゲッタリング構造を付与する熱処理(以下DZIG処理という)を施したシリコンウェーハの製造に当たり、CZ法によるシリコン単結晶育成時の熱履歴に依存する微小欠陥のDZ層への残留や、欠陥密度およびDZ層の厚さのばらつきを低減する。【構成】 DZIG処理の前に、ランプアニール装置を用いて図1に示す急速熱処理を行う。すなわち、350°Cに加熱したランプアニール装置にシリコンウェーハを投入し、50°C/sec以上の昇温速度で950〜1200°Cに昇温させ、前記温度範囲を1〜60sec保持する。これにより、前記DZIG処理の初期に成長して顕在化する微小欠陥の形成を抑制することができる。従って、DZ層に残留する微小欠陥密度が低くなるとともに、前記急速熱処理によってシリコン単結晶育成時の低温熱履歴が消去されるため、微小欠陥密度やDZ層の厚さのばらつきも低減する。

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハにイントリンシックゲッタリング構造を付与するための熱処理に先立ち、熱放射アニール装置を用いて急速熱処理を行うことを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/322 , H01L 21/26 , H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平2-032535
特開昭61-219795
特開昭62-206838

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