特許
J-GLOBAL ID：200903085275566714
半導体基板の表面処理液、この処理液を用いた表面処理方法及び表面処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-050976
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250460
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】基板表面のラフネスを抑え、液からの金属逆汚染がなく、パーティクル、金属不純物除去に優れ、常温で処理可能な半導体基板の表面処理液、表面処理方法及び表面処理装置を提供することを目的としている。【構成】濃度が0.01%から1%のHF水溶液と、濃度が0.1ppmから20ppmのオゾン水とを含む混合液を用いて半導体基板の表面処理を行うことを特徴としている。SC-1液を用いる場合に比して表面を平坦化でき、半導体素子の信頼性を高めることができる。この混合液は、金属汚染の逆吸着がなく、且つCu等の重金属も除去可能である。また、常温処理できるのでクリーンルームの汚染源にならず、洗浄後のオゾン水は容易に分解できるため、廃液処理等が簡単になり環境汚染も低減できる。混合液のHF濃度とオゾン水濃度を調整することにより、半導体基板の表面と酸化膜を同時に洗浄できる。
請求項（抜粋）：
濃度が0.01%から1%のHF水溶液と、濃度が0.1ppmから20ppmのオゾン水とを含む混合液からなることを特徴とする半導体基板の表面処理液。
IPC (9件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, B08B 3/08
, C23F 1/08 101
, C23F 1/24
, C23G 1/12
, C23G 3/00
, H01L 21/308
, C09K 13/08
H01L 21/304 341 L
, H01L 21/304 341 M
, H01L 21/304 341 S
, B08B 3/08 A
, C23F 1/08 101
, C23F 1/24
, C23G 1/12
, C23G 3/00 Z
, H01L 21/308 G
, C09K 13/08
