特許

J-GLOBAL ID：200903085276686071

ドープ側壁による溝分離方法

発明者： クァング・ワイ・チュー ,  ダン・ダヴリュ・ピータース
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 遠藤 恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329811
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216235
出願日： 1993年12月01日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 簡単かつ迅速な処理工程で溝の側壁に接するNMOSのN型のソース・ドレイン領域間の寄生漏洩電流を回避できるドープ側壁による溝分離方法を提供することを目的とする。【構成】 <100>結晶方位を有するP型シリコン基板16に形成された第1のNMOS10と第2のNMOS12とを分離する溝14を形成するためにP型シリコン基板16の溝14の形成領域を露出させて、KOHの溶液で露出部分をエッチングして54.7度の角度に傾斜した側壁30を有する溝14を形成する。側壁30に硼素イオン32を注入した後に、堆積酸化物層26で溝14を埋め込む。硼素イオン32により、堆積酸化物層26の陽イオンによる側壁30の反転を防止し、第1のNMOS10ソース21とドレイン20間及び第2のNMOS12のソース22とドレイン23間の寄生漏洩電流を回避する。

請求項（抜粋）：

第1導電型のシリコン基板の溝を形成したい領域を露出するためにこのシリコン基板をマスクし、角度のある側壁を有する一つ以上の溝を形成するために前記シリコン基板を異方性エッチするためにエッチング液を用いて前記シリコン基板の露出した領域をエッチングし、前記側壁は前記シリコン基板の上面に対して約50度と60度との間の角を形成し、前記シリコン基板の上面に対して実質的に標準の注入傾斜角で前記側壁にイオンを注入し、酸化物で前記一つ以上の溝を埋め込み、前記側壁に注入された前記イオンは前記酸化物内の帯電汚染物による前記側壁の反転を防止するのに十分であり、前記シリコン基板の前記上面に能動装置を形成し、前記能動装置の一つ以上が前記一つ以上の溝によって前記能動装置の他の一つから分離される工程からなるドープ側壁による溝分離方法。