特許

J-GLOBAL ID：200903085279718691

半導体装置

発明者： 鈴木 龍也
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-180081
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012967
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子から発生する熱を効率良く放出する構造の半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子8と、半導体素子8を載置し、半導体素子8から発する熱を放出するサブマウント基板とからなる半導体装置1において、前記サブマウント基板は、第1導電型半導体基板2からなり、第1導電型半導体基板2に拡散法により半導体素子8の載置面8aの下方の所定領域に形成された第2導電型半導体層3と、第2導電型半導体層3の中に第2導電型半導体層3よりも浅い深さで形成された第1導電型半導体層4とからなる。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、前記半導体素子を載置し、前記半導体素子から発する熱を放出するサブマウント基板とからなる半導体装置において、前記サブマウント基板は、第1導電型半導体基板からなり、前記第1導電型半導体基板に拡散法により前記半導体素子の載置面の下方の所定領域に形成された第2導電型半導体層と、前記第2導電型半導体層の中に前記第2導電型半導体層よりも浅い深さで形成された第1導電型半導体層とからなることを特徴とする半導体装置。

Fターム (4件)：

5F073BA06 ,  5F073EA29 ,  5F073FA13 ,  5F073FA24