特許
J-GLOBAL ID：200903085281804201

半導体装置の製造方法および半導体製造装置

発明者：
牧 浩

牧 浩 について

, 
清木 和裕

清木 和裕 について

, 
和田 栄司

和田 栄司 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-013690
公開番号（公開出願番号）：特開2006-203023
出願日： 2005年01月21日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【課題】 ダイアタッチフィルムを介してダイシングテープに貼り付けたチップを速やかにピックアップするダイボンディング技術を提供する。【解決手段】 ピックアップ装置10のエキスパンドリング12を下降させ、ダイシングテープ5の周辺部に接着されたウエハリング6を下方に押し下げると、ダイシングテープ5が、その中心部から周辺部に向かう強い張力を受けて水平方向に弛みなく引き伸ばされるので、ダイアタッチフィルム4も引き伸ばされて切断され、チップ単位で互いに分離される。次に、エキスパンドリング12を低速で僅かに上昇させ、ダイシングテープ5に加わる水平方向の張力を小さくした後、チップ1とダイアタッチフィルム4をダイシングテープ5から剥離する。【選択図】 図15
請求項（抜粋）：
以下の工程を含む半導体装置の製造方法: (a)半導体ウエハの裏面にダイアタッチフィルムとダイシングフィルムとを貼り付ける工程、 (b)前記工程(a)の後、前記半導体ウエハと前記ダイアタッチフィルムとをダイシングすることによって、前記半導体ウエハを複数個の半導体チップに分割する工程、 (c)前記工程(b)の後、前記ダイシングフィルムをその中心から周辺方向に第1の張力で引っ張ることによって、前記ダイアタッチフィルムを半導体チップ単位で切断する工程、 (d)前記工程(c)の後、前記ダイシングフィルムをその中心から周辺方向に、前記第1の張力よりも小さい第2の張力で引っ張りながら、前記半導体チップを前記ダイアタッチフィルムと共にピックアップする工程。
IPC (3件)：
H01L 21/301 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/67
FI (4件)：
H01L21/78 Y ,  H01L21/52 F ,  H01L21/68 E ,  H01L21/78 Q
Fターム (15件)：
5F031CA02 ,  5F031CA13 ,  5F031DA13 ,  5F031DA15 ,  5F031EA02 ,  5F031GA23 ,  5F031HA25 ,  5F031HA28 ,  5F031MA22 ,  5F031MA34 ,  5F031MA39 ,  5F031MA40 ,  5F031PA16 ,  5F031PA20 ,  5F047FA01
引用特許：
出願人引用 (11件)
  • ウェーハの搬送方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-312456   出願人：株式会社東京精密
  • プローブカード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-319015   出願人：株式会社沖マイクロデザイン, 沖電気工業株式会社
  • プローバ装置及び半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-321338   出願人：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
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審査官引用 (6件)
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