特許
J-GLOBAL ID:200903085291169580
電解質膜-電極接合体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 宇谷 勝幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-160039
公開番号(公開出願番号):特開2006-338943
出願日: 2005年05月31日
公開日(公表日): 2006年12月14日
要約:
【課題】MEA(電解質膜-電極接合体)の構成の複雑化に伴って生じるセルやスタックの体積増加、及び発電性能の低下を最小限に抑制しうる電解質膜-電極接合体を提供する。【解決手段】高分子電解質膜と、前記高分子電解質膜の一方の面に形成された、カソード触媒層と、前記高分子電解質膜の他方の面に形成された、アノード触媒層と、前記カソード触媒層の端部の少なくとも一部に形成された、第一のガス不透過層に第一の接着剤層が形成されてなる第一のガスケット層と、を有し、少なくとも前記カソード触媒層と前記第一のガスケット層との第一の重複部位の電解質膜-電極接合体の厚みが、前記カソード触媒層と前記第一のガスケット層とが重複しない前記第一のガスケット層の存在部位の電解質膜-電極接合体の厚みと略等しくなるように、前記重複部位に位置する前記第一の接着剤層の一部または全部が省略されてなる、電解質膜-電極接合体。【選択図】図5
請求項(抜粋):
高分子電解質膜と、
前記高分子電解質膜の一方の面に形成された、カソード触媒層と、
前記高分子電解質膜の他方の面に形成された、アノード触媒層と、
前記カソード触媒層の端部の少なくとも一部に形成された、第一のガス不透過層に第一の接着剤層が形成されてなる第一のガスケット層と、
を有し、少なくとも前記カソード触媒層と前記第一のガスケット層との第一の重複部位の電解質膜-電極接合体の厚みが、前記カソード触媒層と前記第一のガスケット層とが重複しない前記第一のガスケット層の存在部位の電解質膜-電極接合体の厚みと略等しくなるように、前記重複部位に位置する前記第一の接着剤層の一部または全部が省略されてなる、電解質膜-電極接合体。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (7件):
5H026AA06
, 5H026BB04
, 5H026CX04
, 5H026CX07
, 5H026EE18
, 5H026HH02
, 5H026HH03
引用特許:
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