特許
J-GLOBAL ID：200903085297751930
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-101140
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299622
出願日： 1992年04月21日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】この発明の半導体集積回路にあっては、開発のターンアラウンドタイムを短くするために、シリコン基板と配線層の間にシールド層を挿入したことを特徴とする。【構成】シリコン基板1の表面部にMOSトランジスタ2のソースまたはドレインの不純物拡散領域3を形成し、基板1上の絶縁体4中に、上記不純物拡散領域3を接続する第1アルミ配線5を設けている。また、絶縁体4中で、不純物拡散領域3以外の部分は、第1アルミ配線5より上方に設けた第2アルミ配線により接続している。そして、基板1の表面部と第1のアルミ配線5との間には、シールド層7を形成している。
請求項（抜粋）：
シリコンウェハ上にゲートを形成する半導体集積回路に於いて、表面部に複数のトランジスタを形成するシリコン基板と、このシリコン基板上に形成される絶縁体層と、この絶縁体層中に所定間隔をおいて設けられるもので、上記トランジスタ間の配線を行う第1及び第2の配線層と、上記絶縁体層中で、上記シリコン基板の表面部と上記第1の配線層の間に設けられるもので、所定電位に保持された導体平面より成るシールド層とを具備することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
前のページに戻る
