半導体装置およびEL駆動回路

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-049536
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250662
出願日： 1995年03月09日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 MOS型トランジスタのドレイン飽和電流を下げずに高オン抵抗化を実現する。【構成】 P型のシリコン基板に形成されたN型の延長ドレイン領域2と、ソース領域3と、ソース電極4と、延長ドレイン領域2の内部に形成されたドレイン領域5と、ドレイン電極6と、ゲート電極7とを有する高耐圧横型NchMOS型トランジスタ部を備えている。ドレイン電極6とボンディングパッド10とは蛇行状の多結晶シリコン膜8で接続し、ドレイン電極6と多結晶シリコン膜8とは絶縁膜のコンタクト窓9を介して電気的接続し、多結晶シリコン膜8とボンディングパッド10とは積層して電気的接続している。全オン抵抗は、MOS型トランジスタ部のオン抵抗と多結晶シリコン膜8の抵抗の和となるため、MOS型トランジスタ部の構成は同一であっても、簡単に全オン抵抗を上げることができ、しかもドレイン飽和電流は従来と変わらない。

請求項（抜粋）：

折り曲げ状に形成された抵抗体膜と、前記抵抗体膜を覆う絶縁膜と、前記抵抗体膜上の前記絶縁膜に設けた複数の開口部と、前記絶縁膜上に形成され少なくとも1つの前記開口部を介して前記抵抗体膜に接続された金属膜とを備えた半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 27/04 P , H01L 29/78 301 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-206767
特開昭57-211087
特開平4-105359

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