特許

J-GLOBAL ID：200903085302561282

エッチング装置およびエッチング方法

発明者： 小田 拓嗣 ,  松尾 洋 ,  横山 雄一 ,  前田 清司 ,  山本 祐司 ,  中島 美幸 ,  井上 慎也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-099894
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294537
出願日： 1999年04月07日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 段差のあるパターンの側壁部において電気的絶縁のために十分な膜厚と高さを有するシリコン窒化膜のサイドウォールを得られるように改良されたエッチング装置および方法を提供する。【解決手段】 放電室分離型ドライエッチング装置において、CF4およびCHF3のうちの少なくとも一方およびCH2F2を含む混合ガスのプラズマを用いて、シリコン窒化膜5をエッチングすることによって、自己整合的にパターンの側壁にシリコン窒化膜5のサイドウォール7を残すとともにパターンの底部のシリコン窒化膜5を除去する。また、メモリセル部のシリコン窒化膜5の除去と同時に、メモリセル部と同一基板表面内にある周辺回路部のシリコン層、金属シリサイド層などのエッチングをも行う。

請求項（抜粋）：

底部をもつ段差のあるパターンを覆うように形成されたシリコン窒化膜をエッチングし、自己整合的に前記パターンの側壁にシリコン窒化膜のサイドウォールを残すとともに前記パターンの底部のシリコン窒化膜を除去するためのエッチング装置であって、CF4およびCHF3のうちの少なくとも一方を含む第1のガスをチャンバ内に導入する手段と、CH2F2である第2のガスをチャンバ内に導入する手段と、前記第1のガスおよび前記第2のガスを混合した混合ガスのプラズマを用いてドライエッチングする手段とを備える、エッチング装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E

Fターム (26件)：

4K057DA20 ,  4K057DB17 ,  4K057DB20 ,  4K057DD05 ,  4K057DE06 ,  4K057DE08 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA00 ,  5F004AA01 ,  5F004BA03 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004DA01 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA12 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03