特許
J-GLOBAL ID：200903085303537261
ハーメチック構造の半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-202410
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058236
出願日： 1993年08月16日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、キャップの接合にあたりキャップに変形を生じさせず、かつキャップと塔載部との間に均一な溶着シール部が形成されるハーメチック構造の半導体装置を提供する。【構成】 ステム1との接合面40cを有するキャップ4のキャップ本体40の全面に、ニッケルメッキ層51が形成されている。そして、このキャッピ本体40の全面には、接合面40cを除いて金メッキ52が形成されている。キャップ本体40の接合面40cをステム1に圧接し、上電極5から下電極6側に電流を流すと、電流は金メッキ層52中を流れてその下端位置に達する。この電流は主として金メッキ層52の下端位置からステム1側に放電し、接合面40cの外縁部側が加熱されて、この部分に均一な溶着シール部53が形成される。
請求項（抜粋）：
塔載部上に塔載された半導体素子がキャップによって気密封止されているハーメチック構造の半導体装置において、前記搭載部との接合面を有する前記キャップのキャップ本体に、ニッケルメッキ層が前記接合面で露出するように形成されているとともに、金メッキ層が前記接合面を除いて露出するように形成されていることを特徴とするハーメチック構造の半導体装置。
IPC (2件)：
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