特許
J-GLOBAL ID：200903085307290597
発振器および半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-162899
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017501
出願日： 1997年06月19日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 製造プロセスによるバラツキの影響を少なくするとともに、高い周波数域での安定かつ広範囲な発振を可能にする。【解決手段】 MOSトランジスタ差動対からなる差動回路をリング状に多段接続することにより、上記差動対の共通ソースバイアス電流の可変操作により発振周波数を変化させられるようにしたリング発振回路を形成するとともに、上記差動対のMOSトランジスタと同じ導電型のMOSトランジスタを用いたソースフォロワにより、上記差動対の出力信号電圧の基準電位側への振幅を所定レベルでクランプさせるようにした。
請求項（抜粋）：
共通のソースバイアス電流が通電され、かつドレインごとに負荷素子が直列接続されたMOSトランジスタ差動対により形成される差動回路と、この差動回路をリング状に多段接続して形成される発振ループであって上記バイアス電流の可変操作により発振周波数を変化させられるようにしたリング発振回路と、上記差動対のMOSトランジスタと同じ導電型のMOSトランジスタを用いたソースフォロワにより上記差動対の出力信号電圧の基準電位側への振幅を所定レベルでクランプさせるようにしたクランプ手段とを備えたことを特徴とする発振器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03K 3/354 B
, H03L 7/08 F
