半導体装置、液晶表示装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：豊田善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-021639
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216158
出願日： 1993年01月18日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】高コントラスト比の得られる液晶表示装置を提供する。【構成】絶縁層上もしくは絶縁基板上に、薄膜半導体層を設けた基板上に、受動素子及び能動素子を設けた半導体装置において、該受動素子又は該能動素子を結ぶ配線下に少なくとも一部、下部層のエッチングにより形成した凹部を有する半導体装置。

請求項（抜粋）：

絶縁層上もしくは絶縁基板上に、薄膜半導体層を設けた基板上に、受動素子及び能動素子を設けた半導体装置において、該受動素子又は該能動素子を結ぶ配線下に少なくとも一部凹部を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , G02F 1/1343 , G02F 1/136 500 , H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 21/88 K , H01L 29/78 311 R , H01L 29/78 311 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

審査官引用 (8件)

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