特許
J-GLOBAL ID：200903085314230990
単結晶Siインゴットのスライス方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-009933
公開番号（公開出願番号）：特開平9-193145
出願日： 1996年01月24日
公開日（公表日）： 1997年07月29日
要約：
【要約】【課題】 複数枚のSi薄板を単結晶Siインゴットからスライスする方法およびそのための装置を提供する。【解決手段】 単結晶Siインゴット1を複数枚の個々の切断刃2a、2b、2c、2d、2e、2fを用いてスライスする方法において、単結晶Siインゴット1のヘッド部側から先に切断刃が入り、順次、単結晶Siインゴット1のボトム部側に向かって切断刃が入るようしてスライスする単結晶Siインゴットのスライス方法および単結晶Siインゴットのスライス装置において、複数枚の個々の切断刃2a、2b、2c、2d、2e、2fは階段状に段差をつけて取り付けられている単結晶Siインゴットのスライス装置。
請求項（抜粋）：
単結晶Siインゴットを複数枚の切断刃を用いてスライスする方法において、単結晶Siインゴットのヘッド部側から先に切断刃が入り、順次、単結晶Siインゴットのボトム部側に向かって切断刃が入るようしてスライスすることを特徴とする単結晶Siインゴットのスライス方法。
FI (2件)：
B28D 5/04 D
, B28D 5/04 C
