特許

J-GLOBAL ID：200903085314335164

液晶表示装置の製造方法

発明者： 鈴木 光明 ,  瀬戸 俊祐 ,  川久 慶人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-310352
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152333
出願日： 1991年11月26日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 ポリシリコン薄膜中に存在するシリコンの未結合手に起因する問題を解決し、スイッチングトランジスタの動作特性を向上させ、且つ経時劣化を低減することができ、表示特性の向上をはかり得る液晶表示装置の製造方法を提供すること。【構成】 石英ガラス基板11上にデータ線,ゲート線,スイッチングトランジスタ及び画素電極からなる画素領域を形成し、この画素領域の周辺部に駆動回路を形成したアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法において、ガラス基板11上にポリシリコン薄膜14を形成したのち、このポリシリコン薄膜14の画素領域となる部分に弗素をイオン注入し、次いで熱処理を伴う素子形成工程が終了した後に、ポリシリコン薄膜14を水素プラズマに晒して該薄膜14中に水素をドーピングしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁性透明基板上にデータ線,ゲート線,スイッチングトランジスタ及び画素電極からなる画素領域を有し、この画素領域の周辺部に駆動回路を有するアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法において、前記基板上にポリシリコン薄膜を形成する工程と、前記ポリシリコン薄膜の少なくとも画素領域となる部分に弗素をドーピングする工程と、所定の素子形成工程が終了した後に、前記ポリシリコン薄膜に水素をドーピングする工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-130932