特許

J-GLOBAL ID：200903085317459743

気相反応装置

発明者： 大山 勝美 ,  長崎 恵一
出願人/特許権者： 日立電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 梶山 佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-156044
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349810
出願日： 1993年06月02日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】 セルフクリーニングによりセラミック部品が劣化しないプラズマCVD装置を提供する。【構成】 反応炉を有し、該反応炉内には少なくともシャワー電極とサセプタが配設されており、前記シャワー電極は絶縁リングにより支持されており、前記サセプタはその上面に均熱板とその均熱板の周囲を取り囲む絶縁カバーを有する気相反応装置において、少なくとも前記絶縁リング、均熱板およびその絶縁カバーを窒化アルミニウムセラミック材料から形成する。

請求項（抜粋）：

反応炉を有し、該反応炉内には少なくともシャワー電極とサセプタが配設されており、前記シャワー電極は絶縁リングにより支持されており、前記サセプタはその上面に均熱板とその均熱板の周囲を取り囲む絶縁カバーを有する気相反応装置において、少なくとも前記絶縁リング、均熱板およびその絶縁カバーが窒化アルミニウムセラミック材料から形成されていることを特徴とする気相反応装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-070066
  
• 特開昭63-140085
  
• 特開平1-188678