特許

J-GLOBAL ID：200903085318290165

半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者： 栗林 均
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-050669
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250805
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】レーザ光の可干渉性が低くく、戻り光ノイズの発生が少ないマルチモードスペクトルの半導体レーザ素子を提供する。【構成】第一導電型の半導体基板1の一主面上に第一導電型のAlx Ga1-x Asからなる第1クラッド層3、バッファ層2、Al y Ga1-y As (1>x> y>0)からる活性層4、第1導電型とは逆の導電型である第2導電型のAlx Ga1-x Asからなる第2クラッド層5を有し、第2クラッド層5にはへき開面に垂直に2分割されている第1導電型のGaAs電流阻止層8第2導電型のAlx Ga1-x Asからなる第3クラッド層9が順次積層されてなる半導体レーザ素子において、電流阻止層8の第3クラッド層9を挟んでいる側面の形状は電流阻止層8のキャップ層6と接する側が突出している階段状であり、2つの二酸化ケイ素層のエッチングレートの差を利用した階段状マスク71、72を用いて製造する。

請求項（抜粋）：

第一導電型の半導体基板の一主面上に第一導電型のAlx Ga1-xAsからなる第1クラッド層、Al y Ga1-y As (1>x>y>0)からなる活性層、第1導電型とは逆の導電型である第2導電型のAlx Ga1-x Asからなる第2クラッド層を有し、第2クラッド層にはへき開面に垂直に2分割されている第1導電型のGaAs電流阻止層および一部をこれら2つの電流阻止層によって密着して挟まれる第2導電型のAlx Ga1-x Asからなる第3クラッド層が順次積層されてなる半導体レーザ素子において、電流阻止層の第3クラッド層を挟んでいる側面の形状は電流阻止層のキャップ層と接する側が突出している階段状であることを特徴とする半導体レーザ素子。