特許
J-GLOBAL ID：200903085323089966
絶縁ゲート型半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-199304
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064816
出願日： 1994年08月24日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 電流検出セル内蔵絶縁ゲート型半導体装置の、センス電圧の温度依存性を低減化する。【構成】 ソース長を短くした複数の電流検出セルを主電流セルと所定位置関係を有するように配列することにより、実質的な電流検出セルと主電流側セルとの距離を増大し、両者間の寄生コンダクタンスを低減する。
請求項（抜粋）：
第1および第2の主電極領域と、該第1および第2の主電極領域間を流れる電流を制御する絶縁ゲート電極とを少なく共具備する複数個の主電流側セルおよび電流検出セルとを同一半導体基板上に形成した半導体装置において、該電流検出セルを複数個(n個)設け、該複数の電流検出セルのそれぞれの長手方向に測った第1の主電極領域の長さ(以下第1主電極長という)(l1,l2 ,l3 ,......,ln )を、該主電流側セルの第1主電極長l0 よりも短くl0 =l1 +l2 +l3 +......+ln (n≧2)とし、かつ、主電流側セルの繰り返しピッチと同一ピッチで主電流側セルから次第に遠ざかるように配列したことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 657 F
, H01L 29/78 652 S
