特許

J-GLOBAL ID：200903085331692876

荷電粒子ビームを用いたフォトマスクの欠陥修正方法及び欠陥修正装置

発明者： 高岡 修
出願人/特許権者： エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 松下 義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-257456
公開番号（公開出願番号）：特開2009-086428
出願日： 2007年10月01日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：

【課題】 荷電粒子ビームを用いたフォトマスク欠陥修正において、孤立パターンのチャージアップを、パターンを傷つけることなく、効率よく抑止する。【解決手段】 導電性プローブ1の先端に集束イオンビーム誘起化学気相成長金属膜で導電性のコイルバネ3を形成し、コイルバネ3によりマスクパターンとの接触圧を緩和して孤立したパターン4との導通を取り、チャージアップが起こらないようにしてから集束イオンビーム7で欠陥修正を行う。適切なバネ定数になるように、供給する原料ガス圧やビーム電流や走査方向・速度を制御して集束イオンビーム誘起化学気相成長で作製するコイルバネ3の太さ及び半径を制御する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

導電性プローブ先端に導電性のコイルバネを形成し、前記導電性プローブをX,Y,あるいはZ方向に駆動し前記コイルバネを孤立したパターンに接触させることにより孤立パターンのチャージアップを抑止しながら、孤立パターンの欠陥を荷電粒子ビームを用いて修正することを特徴とする荷電粒子ビームを用いたフォトマスクの欠陥修正方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01J 37/317

FI (6件)：

G03F1/08 T ,  H01L21/30 502P ,  G03F1/08 V ,  G03F1/08 W ,  H01J37/317 E ,  H01J37/317 D

Fターム (9件)：

2H095BD32 ,  2H095BD33 ,  2H095BD35 ,  2H095BD36 ,  5C034CC19 ,  5F004AA16 ,  5F004BA17 ,  5F004EA39 ,  5F004EB07