特許

J-GLOBAL ID：200903085336069808

圧電素子及びその製造方法

発明者： 原田 耕一 ,  山下 洋八 ,  嶋貫 専治
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-016353
公開番号（公開出願番号）：特開平9-214014
出願日： 1996年02月01日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 高誘電率、高電気機械係数を有する圧電素子の提供。【解決手段】 Pb[(B1 ,B2 )1-X TiX ]O3 (ただし、x=0〜0.55、B1 はZn、Ni、Mg、Sc、InおよびYbの群から選ばれる少なくとも一種、B2 はNbおよびTaから選ばれる少なくとも1種よりなるペロブスカイト化合物の単結晶からなる圧電体21表面に形成する電極層22中のガラス成分を、0.01〜5wt%の範囲内にすることで誘電率、電気機械係数の高い圧電素子を得ることが可能となる。

請求項（抜粋）：

Pb[(B1 ,B2 )1-X TiX ]O3 (ただし、x=0〜0.55、B1 はZn、Ni、Mg、Sc、InおよびYbの群から選ばれる少なくとも一種、B2 はNbおよびTaから選ばれる少なくとも1種)の単結晶からなる圧電体と、この圧電体表面の一部に形成され、0.01〜5wt%のガラス成分および導電性材料からなる電極層とを有することを特徴とする圧電素子。

IPC (6件)：

H01L 41/18 ,  C04B 35/46 ,  C30B 29/32 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H04R 17/00 330

FI (6件)：

H01L 41/18 101 A ,  C30B 29/32 A ,  H04R 17/00 330 Z ,  C04B 35/46 L ,  H01L 41/08 L ,  H01L 41/22 Z