特許
J-GLOBAL ID：200903085346471515
電圧レベルシフト回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-240385
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148988
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【課題】 ゲート酸化膜に印加される電界を小として、ゲート酸化膜が破壊することのない信頼性の高い高電圧レベルシフト回路を提供する。【解決手段】 高電圧VPPとGNDとの間に、負荷素子L11,Pチャネル型MOSトランジスタP12、Nチャネル型MOSトランジスタN12,N11をこの順に直列接続する。トランジスタP12,N12の各ゲートにはVPP/2近傍の電圧VMP,VMNを夫々印加して各MOSトランジスタのゲート酸化膜への印加電圧を分散して小に抑える。
請求項（抜粋）：
所定振幅レベルの論理入力に応答して前記振幅レベルよりも大なる振幅VPPを有する論理出力を発生する電圧レベルシフト回路であって、負荷素子と、ゲートに略VPP/2レベルの電圧が印加された一導電型の第1のMOSトランジスタと、ゲートに略VPP/2レベルの電圧が印加された逆導電型の第2のMOSトランジスタと、ゲートに前記論理入力が印加された前記逆導電型の第3のMOSトランジスタとがこの順に電源電圧VPPと接地間に直列接続され、前記第1及び第2のMOSトランジスタの接続点から前記論理出力を導出することを特徴とする電圧レベルシフト回路。
IPC (2件)：
H03K 19/0185
, G11C 16/06
H03K 19/00 101 D
, G11C 17/00 309 D
