特許

J-GLOBAL ID：200903085349006678

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 和田 保 ,  梁井 健一 ,  田中 勉
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-197348
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045357
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタ(TFT) およびその製造方法に関し,TFT のオフ電流特性を向上させることを目的とする。【構成】 透明絶縁性基板1と,該透明絶縁性基板上に順次積層されたソース電極4aおよびドレイン電極4bと, 該ソース電極およびドレイン電極間を含んで形成された動作半導体層6と,ゲート絶縁膜7と,ゲート電極8とを有し,該ソース電極および/またはドレイン電極の端面と該動作半導体層との間に空間部が形成されているように構成する。

請求項（抜粋）：

透明絶縁性基板(1) と,該透明絶縁性基板上に順次積層されたソース電極(4a)およびドレイン電極(4b)と, 該ソース電極およびドレイン電極間を含んで形成された動作半導体層(6) と,ゲート絶縁膜(7) と,ゲート電極(8) とを有し,該ソース電極および/またはドレイン電極の端面と該動作半導体層との間に空間部が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500